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    眾所周知，T3Ster熱阻測(cè)試儀一般是用來測(cè)試IC、LED、散熱器、熱管等電子器件產(chǎn)品的熱特性，而導(dǎo)致電子器件產(chǎn)品失效的主要因素有：發(fā)熱、潮濕、粉塵和振動(dòng)。而在這幾點(diǎn)里面，發(fā)熱對(duì)電子產(chǎn)品的壽命影響是最大的。然而，電子產(chǎn)品飛速發(fā)展，消費(fèi)者的要求也日益提高，更便攜、功能更強(qiáng)大的電子產(chǎn)品才有可能成為炙手可熱的搶手貨。研發(fā)工程師需要在越來越輕薄的機(jī)殼中集成越來越多的功能，散熱是令工程師最頭痛的問題之一。解決散熱問題，需要從源頭著手，從改善每一顆芯片的散熱能力著手，這就對(duì)芯片廠商提出了要求。芯片廠商必須通過不斷的試驗(yàn)，改善原材料，改善封裝工藝，才能確保生產(chǎn)出來的芯片的散熱能力達(dá)到優(yōu)秀。T3Ster熱阻測(cè)試儀就是這樣的一款測(cè)試儀器，通過簡(jiǎn)單的測(cè)試，便可以獲得芯片各層的熱阻、熱容值，并在研發(fā)過程中進(jìn)行有針對(duì)性的改善，從而設(shè)計(jì)出散熱性能優(yōu)秀的產(chǎn)品。

    從上面表述來看，能否短時(shí)間里又準(zhǔn)確高精度化得出電子器件產(chǎn)品熱阻、熱容值、導(dǎo)熱系數(shù)、接觸熱阻等全面熱特性才是熱阻測(cè)試儀最關(guān)鍵的要求。那么如何才能做到呢？顯然和測(cè)試方法有關(guān)，這也是作為要如何正確選購(gòu)熱阻測(cè)試儀需要關(guān)注的。

一、瞬態(tài)實(shí)時(shí)測(cè)試方法

    瞬態(tài)實(shí)時(shí)測(cè)試方法是基于穩(wěn)態(tài)測(cè)試方法相對(duì)應(yīng)而言，由于穩(wěn)態(tài)熱阻的測(cè)量要達(dá)到熱平衡，對(duì)功率器件還要在測(cè)試時(shí)裝上散熱器，因此測(cè)試時(shí)間比較長(zhǎng)，操作比較復(fù)雜，只適合進(jìn)行抽樣檢驗(yàn)，而不適合對(duì)器件進(jìn)行100%的篩選。  在電子產(chǎn)品器件工藝生產(chǎn)過程中，T3Ster熱阻測(cè)試儀為快速、有效地檢驗(yàn)器件芯片和外殼之間的燒結(jié)質(zhì)量（熱阻），可以采用瞬態(tài)熱阻（標(biāo)準(zhǔn)中稱為瞬態(tài)熱響應(yīng)）的篩選方法。該方法向器件施加一電功率脈沖，在脈沖結(jié)束后立即測(cè)量器件的熱敏參數(shù)變化，以推斷器件芯片的溫升，進(jìn)而推斷電子器件燒結(jié)質(zhì)量（燒結(jié)熱阻）的好壞。從而全面得出精確的半導(dǎo)體熱特性的熱阻、熱容值。

二、穩(wěn)態(tài)實(shí)時(shí)測(cè)試方法
   穩(wěn)態(tài)作為瞬態(tài)的對(duì)比，需要互相配合，T3Ster熱阻測(cè)試儀同時(shí)運(yùn)用先進(jìn)的JEDEC穩(wěn)態(tài)實(shí)時(shí)測(cè)試方法（JESD51-1），能專業(yè)測(cè)試各類IC（包括二極管、三極管、MOSFET、SOC、MEMS等）、LED、散熱器、熱管、PCB及導(dǎo)熱材料等的熱阻、熱容及導(dǎo)熱系數(shù)、接觸熱阻等熱特性。配合專為L(zhǎng)ED產(chǎn)業(yè)開發(fā)的選配件TERALED可以實(shí)現(xiàn)LED器件和組件的光熱一體化測(cè)量。